На базе Центра коллективного пользования научным оборудованием «Радиоэлектронные приборы, микроэлектроника и нанотехнологии» при Дагестанском государственном техническом университете продолжаются исследования по получению тонких пленок карбида кремния, нитрида алюминия и твердых растворов на их основе ионно-плазменными методами.

В течение 2023 года научная группа в составе руководителя с к.ф.-м.н., доцента Алибулата Темирова, научного сотрудника Магомеда Гитикчиева и младших научных сотрудников Абдуллы Ахмедова и Нуритдина Мутаева проводила теоретические исследования и экспериментальные работы по получению конденсаторных структур. Сотрудникам центра при комнатной температуре методом высокочастотного магнетронного распыления подложек удалось получить планарные тонкопленочные конденсаторные структуры с диэлектрическим слоем на основе аморфного нитрида алюминия.

Слои и тонкопленочные структуры были получены методом высокочастотного магнетронного распыления на вакуумной установке для нанесения пленок металлов и их соединений магнетронного распыления УМН-30 барабанного типа, оснащенной двумя диаметрально расположенными распылительными магнетронами под мишени диаметром 51 мм и толщиной 4 мм. В процессе работы установлено, что при использовании в качестве обкладок прозрачных проводящих слоев можно формировать планарные емкостные структуры для различных оптоэлектронных приложений. Для исследования диэлектрических свойств аморфных слоев нитрида алюминия методом послойного магнетронного осаждения через маски при комнатной температуре были получены планарные конденсаторные структуры «хром – нитрид алюминия – хром» и «молибден – нитрид алюминия – молибден».

Исследования будут продолжены, они важны для замещения иностранных электронных компонентов, используемых в микро- и радиоэлектронных изделиях отечественными компонентами.

«Лезги газет»